FMUSER Orixinal Novo SD2932 Transistor de RF Granza de Alta Potencia Transistor-MOSFET 50V MOSFET Transistor-FM FMUSER FM / TV Proveedor único

FMUSER Novo transistor de enerxía SD2932 RF Transistor MOSFET de alta ganancia de alta potencia Características ● Metalización do ouro ● Excelente estabilidade térmica ● Configuración push-pull de fonte común ● POUT = 50 W min. con ganancia de 300 dB a 15 MHz Descrición O FMUSER SD175 é un transistor de potencia RF de efecto campo MOS de canle N metalizado de ouro cunha excelente estabilidade térmica usado para aplicacións de sinal de 2932 V CC de ata 50 MHz. Especificación: ● Categoría do produto: transistores MOSFET RF ● Polaridade do transistor: canle N ● Id - Corrente de drenaxe continua: 250 A ● Vds - Tensión de ruptura da fonte de drenaxe: 40 V ● Ganancia: 125 dB ● Potencia de saída: 15 W ● Funcionamento mínimo Temperatura: - 300 C ● Temperatura máxima de funcionamento: + 65 C ● Estilo de montaxe: SMD / SMT

detalle

anterior:FMUSER Orixinal Novo SD2942 N-Channel 350W Saída RF Transistor de potencia RF Transistores MOSFET Transistor RF

seguinte:O tubo de alta frecuencia FMUSER MRF151 To-59 de alta frecuencia 150 W, 50 V, 175 MHz de banda ancha MOSFET Transistor de efecto de campo de potencia RF

Prezo (USD)	Qtde (PCS)	Shipping (USD)	Total (USD)	Método do transporte	pago
199	1	0	199	DHL
				DHL

Transistor de potencia SD de novo FMUSER Transistor de alta potencia de 2932V MOSFET

Fcomidas

●Metalización do ouro
●Excelente estabilidade térmica
●Configuración común push-pull de fonte
●POUT = 300 W min. con 15 dB de ganancia @ 175

MHz

descrición
O FMUSER SD2932 é un transistor de potencia RF de efecto campo MOS de canle N metalizado de ouro cunha excelente estabilidade térmica usado para aplicacións de sinal de 50 V CC de ata 250 MHz.

Especificación:

●Categoría do produto: Transistores RF MOSFET
●Polaridade do transistor: canle N
●Id - Corrente de drenaxe continua: 40 A
●Vds - Tensión de avaría da fonte de drenaxe: 125 V
●Ganancia: 15 dB
●Potencia de saída: 300 W
●Temperatura mínima de funcionamento: - 65 C
●Temperatura máxima de funcionamento: + 150 C
●Estilo de montaxe: SMD / SMT
●Paquete / Estuche: M244
●Envases: bandexa
●Configuración: Individual
●Frecuencia de funcionamento: 250 MHz
●Tipo: RF MOSFET
●Pd - Disipación de potencia: 500 W
●Tipo de produto: Transistores RF MOSFET
●Subcategoría: MOSFETs
●Vgs - Tensión Gate-Source: 5 V