FMUSER Orixinal Novo SD2942 N-Channel 350W de saída Transistor de potencia RF Transistor MOSFET Transistor RF Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Emisoramento único de transmisión de TV

Transmisores RF MOSFET RF Transistores de potencia RF de saída 2942W de canle N SD350 N-Channel 2942W Descrición O SD2942 é un transistor de potencia RF de efecto campo MOS de canle N metalizado de ouro. O SD25 ofrece un RDS (ON) un 20% inferior ao estándar da industria e un 2932% máis de saturación de enerxía que o ST SD2942. Estas características fan que o SD50 sexa ideal para aplicacións de 250 V CC de moi alta potencia ata 350 MHz. Características ● Metalización de ouro ● Excelente estabilidade térmica ● Configuración común push-pull ● POUT = 15 W min. con ganancia de 175 dB a XNUMX MHz ● RDS baixo (activado) Especificacións Atributo do produto Valor do atributo RoHS:

detalle

anterior:FMUSER Original Novo MRFE6VP5600H RF Transistor de Energía MOSFET Transistor Para 600w Transmisor FM

seguinte:Transistor de potencia SD de novo FMUSER Transistor de alta potencia de 2932V MOSFET

Prezo (USD)	Qtde (PCS)	Shipping (USD)	Total (USD)	Método do transporte	pago
340	1	0	340	DHL
				DHL

FMUSER Orixinal Novo SD2942 N-Channel 350W Saída RF Transistor de potencia RF Transistores MOSFET Transistor RF

descrición
O SD2942 é un MOS de canle N metalizado en ouro transistor de potencia RF de efecto campo. O SD2942 ofrece un RDS (ON) 25% inferior ao estándar da industria e un 20% máis de saturación de potencia que ST SD2932. Estas características fan que o SD2942 ideal para aplicacións de alta potencia de 50 V CC a 250 MHz.

características
● Metalización do ouro
●Excelente estabilidade térmica
●Configuración común push-pull de fonte
●POUT = 350 W min. con 15 dB de ganancia @ 175 MHz
●RDS baixo (activado)

especificacións

Atributo do produto	Valor do atributo
RoHS:	Y
Embalaxe:	Bandexa
configuración:	Único
Tecnoloxía:	Si
Estilo de montaje:	SMD / SMT
tipo:	MOSFET de potencia RF
Tipo De Produto:	Transistores MOSFET RF
Categoría do produto:	Transistores MOSFET RF
Polaridade do transistor:	N-Channel
Subcategoría:	MOSFETs
Pd - Disipación de enerxía	500 W
Id - Corrente de drenaxe continua:	40A
Vgs - Tensión de código fonte:	4 V
Potencia de saída:	350 W
Frecuencia de funcionamento:	250 MHz
Ganancia:	15 dB
Vds - Tensión da avaría da fonte de drenaxe:	130 V
Temperatura mínima de funcionamento:	- 65 C.
Temperatura máxima de operación:	+ 200 C.