FMUSER Original novo transistor de potencia MRF6VP11KH RF Transistor MOSFET de potencia Transistor-RF Transistor-FMUSER Proveedor de emisión de FM / TV

FMUSER O novo transistor de potencia MRF6VP11KH RF Transistor MOSFET de potencia FMUSER MRF6VP11KHR6 está deseñado principalmente para aplicacións de banda ancha pulsadas con frecuencias de ata 150 MHz. O dispositivo é inigualable e é adecuado para o seu uso en aplicacións industriais, médicas e científicas. Características Rendemento pulsado típico a 130 MHz: VDD = 50 voltios, IDQ = 150 mA, Pout = 1000 Watts Peak (200 W promedio), Ancho de pulso = 100 µsec, Ciclo de traballo = 20% Ganancia de potencia: 26 dB Eficiencia de drenaxe: 71 % Capaz de manexar 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 130 MHz, 1000 vatios Potencia máxima caracterizada con parámetros de impedancia de sinal grande equivalentes en serie Capacidade de funcionamento CW con refrixeración adecuada Calificado ata un máximo de 50 VDD Operación Protección ESD integrada

detalle

anterior:FMUSER Original novo transistor de potencia D1029UK RF Transistor de potencia MOSFET Transistor dual N-Channel MOSFET, 35 A, 70 V, 5 polos DR D1029UK

seguinte:FMUSER Original MRF6V2150NB SMD RF Transistor Tube Tubo de alta frecuencia Módulo de amplificación de potencia Transistor MOSFET de potencia

Prezo (USD)	Qtde (PCS)	Shipping (USD)	Total (USD)	Método do transporte	pago
215	1	0	215	DHL
				DHL

FMUSER Novo transistor de potencia MRF6VP11KH RF Transistor de potencia MOSFET

FMUSER MRF6VP11KHR6 está deseñado principalmente para aplicacións de banda ancha pulsada con frecuencias de ata 150 MHz. O dispositivo é inigualable e é adecuado para o seu uso en aplicacións industriais, médicas e científicas.

características

Rendemento pulsado típico a 130 MHz: VDD = 50 voltios, IDQ = 150 mA, Pout = 1000 vatios pico (200 W promedio), ancho de pulso = 100 µsec, ciclo de traballo = 20%
Ganancia de potencia: 26 dB
Escorrer Eficiencia: 71%
Capaz de manexar 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 130 MHz, 1000 Watts Power Peak
Caracterizado polos parámetros de impedancia de signos grandes de equivalencia da serie
Capacidade de operación de CW con refrixeración adecuada
Cualificado ata un máximo de operación 50 VDD
Integrado ESD
Deseñado para a operación Push-Pull
Gran alcance de tensión de porta negativa para a operación de clase C mellorada
RoHS compliant
En cinta e carrete. Sufixo R6 = 150 unidades por 56 mm, bobina de 13 polgadas

especificación

Tipo de transistor: LDMOS
Tecnoloxía: Si
Industria de aplicacións: ISM, Broadcast
Aplicación: científica, médica
CW / Pulse: CW
Frecuencia: 1.8 a 150 MHz
Potencia: 53.01 dBm
Potencia (W): 199.99 W
P1dB: 60.57dBm
Potencia máxima de saída: 1000 W
Ancho pulsado: 100 us
Ciclo_ deber: 0.2
Ganancia de potencia (Gp): 24 a 26 dB
Retorno de entrada: Perda: -16 a -9 dB
VSWR: 10.00: 1
Polaridade: canle N
Tensión de alimentación: 50 V
Tensión de limiar: 1 a 3 Vcc
Tensión de avaría- Fonte de drenaxe: 110 V
Tensión - fonte de porta: (Vgs): - 6 a 10 Vdc
Eficiencia de drenaxe: 0.71
Corrente de desaugadoiro: 150 mA
Impedancia Zs: 50 Ohms
Resistencia térmica: 0.03 ° C / W
Paquete: Tipo: Brida
Paquete: CASE375D - 05 ESTILO 1 NI - 1230--4
RoHS: Si
Temperatura de funcionamento: 150 graos C.
Temperatura de almacenamento: -65 a 150 graos C.