MRFX1K80H: 1800 W CW sobre 1.8-400 MHz, 65 V banda ancha Potencia RF Transistor LDMOS-Transistor RF-FMUSER Transmisión FM / TV

MRFX1K80H: 1800 W CW sobre 1.8-400 MHz, 65 V banda ancha RF Potencia LDMOS Transistor Descrición O MRFX1K80H é o primeiro dispositivo baseado na nova tecnoloxía LDMOS de 65 V que se centra na facilidade de uso. Este transistor de alta resistencia está deseñado para o seu uso en aplicacións industriais, científicas e médicas de alta VSWR, así como en transmisión de radio e TV VHF, aeroespacial sub-GHz e aplicacións de radio móbil. O seu deseño de entrada e saída incomparable permite un amplo rango de frecuencia de 1.8 a 400 MHz. O MRFX1K80H é compatible con pin (a mesma PCB) coa súa versión de plástico MRFX1K80N, con MRFE6VP61K25H e MRFE6VP61K25N (1250 W @ 50 V) e con MRF1K50H e MRF1K50N (1500 W @ 50 V). Función

detalle

anterior:1 PCS MRF454 transistor RF orixinal

seguinte:FMUSER Novo transistor de potencia MRF1535NT1 RF Transistor MOSFET de potencia

Prezo (USD)	Qtde (PCS)	Shipping (USD)	Total (USD)	Método do transporte	pago
245	1	0	245	DHL
				DHL

MRFX1K80H: 1800 W CW sobre 1.8-400 MHz, 65 V banda ancha RF Transistor LDMOS

descrición

O MRFX1K80H é o primeiro dispositivo baseado na nova tecnoloxía LDMOS de 65 V que céntrase na facilidade de uso. Este transistor de alta resistencia está deseñado para usarse en alta Aplicacións industriais, científicas e médicas VSWR, así como radio e TV VHF aplicacións de radiodifusión, aeroespacial sub-GHz e móbiles. A súa entrada e o deseño de saída permite un amplo rango de frecuencia de 1.8 a 400 MHz.O MRFX1K80H é compatible con pin (o mesmo PCB) coa súa versión de plástico MRFX1K80N, con MRFE6VP61K25H e MRFE6VP61K25N (1250 W @ 50 V), e con MRF1K50H e MRF1K50N (1500 W @ 50 V).

características
●Baseado na nova tecnoloxía LDMOS de 65 V, deseñada para facilitar o seu uso
●Caracterizado de 30 a 65 V para o rango de potencia ampliado
●Entrada e saída sen igual
●Alta tensión de avaría para maior fiabilidade e arquitecturas de maior eficiencia
●Capacidade de absorción de enerxía de avalancha de alta fonte de drenaxe
●Alta robustez. Asas VSWR 65: 1.
●compatible con RoHS

●Opción de menor resistencia térmica no paquete de plástico sobremoldeado: MRFX1K80N

aplicacións

● Industrial, científico, médico (ISM)
● Xeración de láser
● Xeración de plasma
● Aceleradores de partículas
● Resonancia magnética, ablación por RF e tratamento da pel
● Sistemas industriais de calefacción, soldadura e secado
● Emisión por radio e TV VHF
● Aeroespacial
● Comunicacións HF

● Radar

O paquete inclúe

1xMRFX1K80H Transistor de potencia RF LDMOS