FMUSER 1 unids Original MRF6VP3450H Lateral banda N banda ancha RF MOSFET transistor-transistor RF-FMUSER transmisión FM / TV provedor único

FMUSER 1 unids Novo MRF6VP3450H Transistor MOSFET de banda ancha lateral de canle N lateral RF Descrición: Deseñado para aplicacións comerciais e industriais de banda ancha con frecuencias de 470 a 860 MHz. A alta ganancia e o rendemento da banda ancha destes dispositivos fan que sexan ideais para aplicacións de amplificación de fonte común e de grande porte en equipos de transmisión de televisión analóxica ou dixital de 50 voltios. --DVDB típico - Rendemento OFDM T: --VDD = 50 voltios, IDQ = 1400 mA, - Saída = 90 vatios Promedio, f = 860 MHz, modo 8K, 64 QAM - Ganancia de potencia ： 22.5 dB - Eficiencia de drenaxe ： 28% --ACPR @ 4 MHz Offset —— 62 dBc @ 4 kHz Ancho de banda - Banda ancha típica de dous - Rendemento de ton: --VDD = 50 voltios, IDQ = 1400 mA, --Po

detalle

anterior:FUMSER Transistor de efecto de campo semicondutor de óxido metálico de radiofrecuencia en MRF154

seguinte:FMUSER 1 unids Transistor RF MRF317 orixinal, TRANSISTOR DE POTENCIA RF DE BANDA ANCHA

Prezo (USD)	Qtde (PCS)	Shipping (USD)	Total (USD)	Método do transporte	pago
215	1	0	215	DHL
				DHL

FMUSER 1 unids Original MRF6VP3450H transistor MOSFET de potencia de banda ancha de banda N lateral

descrición:
Deseñado para aplicacións comerciais e industriais de banda ancha con frecuencias de 470 a 860 MHz. A alta ganancia e o rendemento en banda ancha destes dispositivos fainos ideais para aplicacións de amplificación de fonte común e de sinal de gran tamaño en 50 voltios equipos transmisores de televisión analóxicos ou dixitais.

--Rendemento típico DVB-T OFDM:
--VDD = 50 voltios, IDQ = 1400 mA,
--Pout = Media 90 Watts, f = 860 MHz, Modo 8K, 64 QAM
--Ganancia de potencia ： 22.5 dB
--Eficiencia de drenaxe ： 28%
--ACPR @ 4 MHz Offset —— 62 dBc a 4 kHz de ancho de banda

--Rendemento típico de dous tons de banda ancha:
--VDD = 50 voltios, IDQ = 1400 mA,
--Pout = 450 vatios PEP, f = 470-860 MHz
--Ganancia de potencia ： 22 dB
--Eficiencia de drenaxe ： 44%
--IM3 ： -29 dBc

--Capaz de manexar 10: 1 VSWR, todos os ángulos de fase, a 50 Vdc, 860 MHz: 450 vatios CW
--Promedio de 90 vatios (Sinal DVB-T OFDM, 10 dB PAR, ancho de banda de canle de 7.61 MHz)

Características:
--Caracterizado con parámetros de impedancia de sinal de grande equivalencia en serie
--Entrada interna combinada para facilitar o uso
--Cualificado ata un máximo de operación 50 VDD
--Integrado ESD
--Deseñado para a operación Push-Pull

--Maior porta negativa: rango de tensión de orixe para un funcionamento mellorado de clase C.

--RoHS compliant
--En cinta e carrete. R6 Sufijo = Unidades 150 por 56 mm, carrete 13 pulgadas.
--Sufixo R5 = Unidades 50 por 56 mm, carrete 13 polgadas.

O paquete inclúe ：

1 * transistor MRF6VP3450H