O FMUSER Original SD2941-10 MOSFETS HF / VHF / UHF MOSFETs Efecto de campo MOS de canle de banda ancha RF Transistor de efecto campo de campo Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Proveedor dunha soa emisión

Os MOSFETs orixinais FMUSER SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFET de canle N con efecto de campo MOS de banda ancha Transistor de efecto de campo RF Descrición O SD2941-10 é un transistor de potencia de efecto MOS de canle N con canle N metalizado de ouro 28 V a 50 V CC grandes aplicacións de sinal ata 230 MHz. Ofrece un 25% menos de RDS (activado) que o estándar da industria, cun PSAT un 20% máis alto que o dispositivo SD2931-10 de ST. O SD2941-10 está no paquete M174 sen pedestal de baixa temperatura, ofrecendo un 25% de resistencia térmica menor que o estándar da industria, converténdoo así no transistor "mellor da súa clase" para aplicacións ISM, onde a fiabilidade e resistencia son un factor crítico . Especifica

detalle

anterior:O tubo de alta frecuencia FMUSER MRF151 To-59 de alta frecuencia 150 W, 50 V, 175 MHz de banda ancha MOSFET Transistor de efecto de campo de potencia RF

seguinte:Transistores FMMER MRFE6VP5150N RF Transistores LDMOS de gran resistencia N - Mellora de canle - Transistor MOSFETs laterais en modo

Prezo (USD)	Qtde (PCS)	Shipping (USD)	Total (USD)	Método do transporte	pago
79	1	0	79	O correo aéreo
				O correo aéreo

O orixinal FMUSER SD2941-10 MOSFET HF / VHF / UHF canle N Efecto de campo MOS Banda Ancha Efecto de campo de potencia RF transistor

descrición
O SD2941-10 é unha canle N metalizada en ouro Transistor de potencia RF de efecto campo de MOS, destinado a empregar en 28 V a 50 V cc aplicacións de gran sinal para arriba a 230 MHz. Ofrece un RDS (activado) 25% máis baixo que o estándar do sector, cun PSAT un 20% superior Dispositivo SD2931-10 de ST. O SD2941-10 é aloxado no baixo pedal M174 non térmico paquete, ofrecendo un 25% de resistencia térmica inferior que o estándar da industria, tornándoo así transistor "de mellor clase" para aplicacións ISM, onde a fiabilidade e a resistencia son críticas factor.

especificacións

● Categoría do produto: Transistores RF MOSFET
● Polaridade do transistor: canle N
● Id - Corrente de drenaxe continua: 20 A
● Vds - Tensión de avaría da fonte de drenaxe: 130 V
● Ganancia: 15.8 dB
● Potencia de saída: 175 W
● Temperatura mínima de funcionamento: - 65 C
● Temperatura máxima de funcionamento: + 150 C
● Estilo de montaxe: SMD / SMT
● Paquete / Estuche: M174
● Empaquetado: a granel
● Configuración: Individual
● Altura: 7.11 mm
● Duración: 24.89 mm
● Frecuencia de funcionamento: 230 MHz
● Serie: SD2941
● Tipo: RF MOSFET
● Ancho: 12.83 mm
● Transconductancia cara adiante - Min: 6 S
● Modo de canle: mellora
● Pd - Disipación de potencia: 389 W
● Tipo de produto: Transistores RF MOSFET
● Cantidade do paquete de fábrica: 25
● Subcategoría: MOSFETs
● Vgs - Tensión Gate-Source: 20 V

características
● Metalización do ouro
● Excelente estabilidade térmica
● Configuración común da fonte
● POUT = 175 W min. con 15 dB de ganancia @ 175
MHz, 50 V
● POUT = 135 W tip. con 14 dB de ganancia @ 123 MHz,
28 V
● RDS baixo (activado)
● Envases térmicas melloradas para menores
● temperaturas da unión
● En cumprimento do Europeo 2002/95 / CE1
directiva