Transmisor de potencia MRF171A RF Transistor MOSFET-RF Transistor-FMUSER FMUSER orixinal orixinal FMUSER

FMUSER Novo transistor de potencia MRF171A RF Transistor de potencia MOSFET Descrición Deseñado principalmente para saída de sinal grande de banda ancha e etapas de controladores de 30 a 200 MHz. Características ● MOSFET de modo de mellora de canle N ● Excelente estabilidade térmica adecuada para o funcionamento de Cass A ● Rendemento garantido a 150 MHz, 28 Vdc: potencia de saída = 45 W, ● Ganancia de potencia = 17 dB (min) 'Eficiencia = 60% (min) ● Datos típicos para aplicacións de amplificadores de potencia en equipos de radio industriais, ● comerciais e afeccionados: ● rendemento típico a 30 MHz, 28 Vdc: potencia de saída = 30 W, potencia ● ganancia = 20 dB (tip.) (PEP), eficiencia = 50 % (tip.), IMD (d3) (30 W PEP) –32 dB (

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FMUSER Orixinal Novidade MRF171A Transistor de potencia RF MOSFET de potencia transistor

descrición

Deseñado principalmente para saída de sinal de banda ancha e controlador etapas de 30 a 200 MHz.

características

●MOSFET de modo de mellora de canle N
●Excelente estabilidade térmica adecuada para a operación Cass A.
●Rendemento garantido a 150 MHz, 28 Vdc: potencia de saída = 45 W,
●Ganancia de potencia = 17 dB (min) 'Eficiencia = 60% (min)
●Datos típicos para aplicacións de amplificadores de potencia en industriais,

●Equipos comerciais e de radioafeccionados:

●Rendemento típico a 30 MHz, 28 Vdc: potencia de saída = 30 W, potencia

●ganancia = 20 dB (tip.) (PEP), eficiencia = 50% (tip.), IMD (d3) (30 W PEP) –32 dB (típico)
●Metal superior dourado
●Crss baixos - 8 pF @ VDS = 28 V
●100% probado para non coincidir coa carga en todos os ángulos de fase con VSWR 30: 1
●Facilita técnicas de control manual de ganancia, ALC e modulación