FMUSER Novo MGF2430A Transistor de potencia RF Transistor MOSFET Transistor-RF Transistor-FMUSER Emisión FM / TV Proveedor único

FMUSER Novo transistor de potencia MGF2430A RF Transistor de potencia MOSFET DESCRICIÓN O MGF2430A, GaAs FET cun schottkygate de canle N, está deseñado para amplificadores de banda L a Ku. CARACTERÍSTICAS ● Alta potencia de saída P1dB = 30.5 dBm (TYP) @ f = 14.5 GHz ● Alta ganancia lineal GLP = 6.5 dB (TYP.) @ F = 14.5 GHz ● Alta eficiencia de potencia engadida P.AE = 27% (TYP.) @ F = 14.5 GHz, P1dB ● Paquete metálico herméticamente APLICADO ● Para amplificadores de potencia de banda L a Ku CALIDADE ● DEBUXO IGOUTLINE CONDICIÓNS RECOMENDADAS DE BIAS ● Vds = 10V Ids = 300mA Rg = 500 ● Valoracións máximas absolutas ● VGDO Porta á fonte de tensión ● VGSO Porta á tensión de fonte ● IDSS Satu

detalle

anterior:1 PCS MRFE6VP5300N transistor RF orixinal

seguinte:FMUSER Novo transistor de potencia MRF173 RF Transistor de potencia MOSFET

Prezo (USD)	Qtde (PCS)	Shipping (USD)	Total (USD)	Método do transporte	pago
69	1	0	69	correo aéreo
				correo aéreo

FMUSER Novo MGF2430A MOSFET de potencia de transistor de potencia RF transistor

DESCRICIÓN

O MGF2430A, GaAs FET cun schottkygate de canle N, está deseñado para amplificadores de banda L a Ku.

CARACTERÍSTICAS

●Alta potencia de saída P1dB = 30.5 dBm (TYP) @ f = 14.5 GHz

●Alta ganancia lineal GLP = 6.5 dB (TYP.) @ F = 14.5 GHz

●Eficiencia de alta potencia engadida P.AE = 27% (TYP.) @ F = 14.5 GHz, P1dB

●Paquete de metal herméticamente pechado APLICACIÓN

●Para amplificadores de potencia de banda L a Ku CALIDADE

●DEBUXO IGOUTLINE

CONDICIÓNS DE BIAS RECOMENDADAS

●Vds = 10V Ids = 300mA Rg = 500
●Valoracións máximas absolutas
●VGDO Porta á tensión de orixe
●Porta VGSO á tensión da fonte
●IDSS Corrente de drenaxe saturada
●Corrente de porta inversa IGR
●Corrente de porta de reenvío IGF
●PT * 1 Disipación total de potencia
●Temperatura de Tch Cannel

●Tstg Temperatura de almacenamento * 1: Tc = 25 ° C (Ta = 25 ° C)