Agregar favorito Set Homepage
posición:casa >> produtos >> RF Transistor

produtos Categoría

produtos Etiquetas

sitios Fmuser

FMUSER Orixinal Novo MRF6VP2600H Transistor de Poder RF MOSFET Transistor 500MHz 600W Lateral N-Channel Broadband

FMUSER Novo transistor de potencia MRF6VP2600H Transistor MOSFET Transistor MOSFET 500MHz 600W Banda ancha lateral de canle N Descrición xeral O MRF6VP2600H está deseñado principalmente para aplicacións de banda ancha con frecuencias de ata 500 MHz. O dispositivo é inigualable e é adecuado para o seu uso en aplicacións de transmisión. Características * Rendemento típico de DVB-T OFDM: VDD = 50 voltios, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 vatios promedio, f = 225 MHz, ancho de banda da canle = 7.61 MHz, sinal de entrada PAR = 9.3 dB @ 0.01% de probabilidade no CCDF. Ganancia de potencia: 25 dB Eficiencia de desagüe: 28.5% ACPR @ 4 MHz Offset: –61 dBc @ 4 kHz Ancho de banda * Rendemento pulsado típico: VDD = 50 voltios, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 vatios pico, f = 225 MHz, ancho de pulso = 100

detalle

Prezo (USD) Qtde (PCS) Shipping (USD) Total (USD) Método do transporte pago
245 1 35 280 DHL

 


FMUSER Orixinal novo MRF6VP2600H Transistor de potencia de RF Transistor MOSFET 500MHz 600W banda ancha lateral en canle N

visión global

O MRF6VP2600H está deseñado principalmente para aplicacións de banda ancha con frecuencias de ata 500 MHz. O dispositivo é inigualable e é adecuado para o seu uso en aplicacións de transmisión.



características

Rendemento DVB-T OFDM típico: VDD = 50 Voltios, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 vatios Promedio, f = 225 MHz, Ancho de banda de canle = 7.61 MHz, Sinal de entrada PAR = 9.3 dB @ 0.01% Probabilidade en CCDF. : 25 dB Eficiencia de desaugadoiro: 28.5% ACPR @ 4 MHz Offset: –61 dBc @ 4 kHz Ancho de banda

Rendemento pulsado típico: VDD = 50 voltios, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 vatios pico, f = 225 MHz, ancho de pulso = 100 µsec, ciclo de traballo = 20% ganancia de potencia: 25.3 dB Eficiencia de desagüe: 59%

Capaz de manexar 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 225 MHz, Potencia máxima 600 Watts, Ancho de pulso = 100 µsec, Ciclo de traballo = 20%

Caracterizado cos parámetros de impedancia de sinal grande equivalente á serie

Capacidade de operación de CW con refrixeración adecuada

Cualificado ata un máximo de 50 VDD

Integrado ESD

Deseñado para a operación Push-Pull

Gran alcance de tensión de porta negativa para a operación de clase C mellorada

RoHS compliant

En cinta e carrete. R6 Sufijo = Unidades 150 por 56 mm, carrete 13 pulgadas.



especificación

Frecuencia (mín.) (MHz): 2

Frecuencia (máx.) (MHz): 500

Tensión de subministración (tip) (V): 50

P1dB (Typ) (dBm): 57.8

P1dB (Typ) (W): 600

Potencia de saída (Typ) (W) @ Nivel de intermodulación na sinal de proba: 125.0 @ AVG

Sinal de proba: OFDM

Power Gain (Typ) (dB) @ f (MHz): 25.0 @ 225

Eficiencia (Typ) (%): 28.5

Resistencia térmica (especificación) (℃ / W): 0.2

Correspondencia: incomparable

Clase: AB

Die Technology: LDMOS




 

 

Prezo (USD) Qtde (PCS) Shipping (USD) Total (USD) Método do transporte pago
245 1 35 280 DHL

 

Deixar unha mensaxe 

nome *
email *
teléfono
dirección
código Ver o código de verificación? Prema refrescar!
mensaxe
 

Lista de mensaxes

Comentarios Loading ...
casa| Sobre nós| produtos| noticia| descargar| apoio| Suxestións| Contacto| servizo

Contacto: Zoey Zhang Web: www.fmuser.net

Whatsapp / Wechat: + 86 183 1924 4009

Skype: tomleequan Correo electrónico: [protexido por correo electrónico] 

Facebook: FMUSERBROADCAST Youtube: FMUSER ZOEY

Enderezo en inglés: Room305, HuiLanGe, No.273 HuangPu Road West, TianHe District., GuangZhou, China, 510620 Enderezo en chinés: 广州市天河区黄埔大道西273号惠兿305号惠兰(E)3